7月4日消息，世界2023年末，最先光刻機(jī)巨頭ASML向Intel交付首套高數(shù)值孔徑High-NA EUV光刻機(jī)，進(jìn)E機(jī)型號(hào)為 TWINSCAN EXE：5000。光刻l光

當(dāng)時(shí)業(yè)界普遍認(rèn)為，賣臺(tái)High-NA EUV將對(duì)先進(jìn)芯片開發(fā)和下代處理器生產(chǎn)發(fā)揮關(guān)鍵作用?？虥]

但時(shí)至今日，那重各大晶圓代工廠都在減少依賴High-NA EUV，世界延后導(dǎo)入時(shí)間。最先 特別是進(jìn)E機(jī)Intel董事發(fā)言，讓市場(chǎng)對(duì)High-NA EUV光刻機(jī)的光刻l光前景產(chǎn)生更多疑問。

據(jù)不愿意透露姓名的賣臺(tái)Intel董事說法，新晶體管設(shè)計(jì)如GAAFET和CFET，刻沒降低芯片制造對(duì)先進(jìn)光刻設(shè)備（尤其是那重EUV光刻機(jī)）的依賴。

這些設(shè)計(jì)是世界從四面包裹柵極，更偏用蝕刻去除多余材料，而不是增加晶圓曝光時(shí)間以縮小電路尺寸。 芯片生產(chǎn)時(shí)橫向重要性日益增加，High-NA EUV 重要性就沒那么重要了。

該董事認(rèn)為，像環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GAAFET）和互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFET）這樣的新型設(shè)計(jì)，將顯著增加光刻之后制造步驟（特別是刻蝕技術(shù)）的重要性，從而削弱光刻在整體工藝中的主導(dǎo)地位。

一般來說，芯片制造流程始于光刻，先將設(shè)計(jì)圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面。隨后通過沉積添加材料，并通過刻蝕選擇性地去除材料，最終形成晶體管和電路結(jié)構(gòu)。

該董事指出，未來的重點(diǎn)可能從單純依賴光刻機(jī)縮小特征尺寸，轉(zhuǎn)向更復(fù)雜、更關(guān)鍵的刻蝕工藝，以確保這些新型三維晶體管結(jié)構(gòu)的精確成型。這預(yù)示著芯片制造技術(shù)路線可能迎來重大轉(zhuǎn)變。

事實(shí)上，前不久臺(tái)積電也表達(dá)過類似的觀點(diǎn)。1.4nm級(jí)工藝技術(shù)不需要High-NA EUV光刻機(jī)，目前找不到非用不可的理由。

“對(duì)于A14來說，我之前提到的性能提升在不使用高數(shù)值孔徑的情況下也非常顯著。因此，我們的技術(shù)團(tuán)隊(duì)正在持續(xù)尋找延長(zhǎng)現(xiàn)有EUV壽命的方法。”

據(jù)了解，ASML最新一代的高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV光刻機(jī)是目前世界上最先進(jìn)光刻機(jī)，單價(jià)高達(dá)4億美元，如此高昂的價(jià)格讓很多廠商望而卻步。

截止目前，ASML已向客戶交付總共5臺(tái)，包括Intel、三星。 其重達(dá)180噸、體積如同雙層巴士，堪稱全球最昂貴的半導(dǎo)體制造設(shè)備之一。