本周,英特于在電子元件技術大會 (ECTC) 上,爾詳英特爾推出了 EMIB-T,細介這是紹用其嵌入式多芯片互連橋接封裝的一項重要升級。EMIB-T 在 2025 年英特爾晶圓代工廠直連大會上首次亮相,英特于它將硅通孔 (TSV) 和高功率金屬-絕緣體-金屬電容器融入現有的爾詳 EMIB 結構中。
英特爾院士兼基板封裝開發(fā)副總裁 Rahul Manepalli 博士表示,這些改進可實現更可靠的紹用電源供應,并增強獨立芯片組之間的英特于通信。傳統的爾詳 EMIB 設計由于采用懸臂式供電路徑,存在電壓降問題。細介相比之下,紹用EMIB-T 則通過 TSV 將電源從封裝基板直接傳輸到每個芯片組連接點。英特于集成電容器可補償快速電壓波動并保持信號完整性。爾詳
這一改進對于 HBM4 和 HBM4e 等下一代內存至關重要,細介因為預計通過 UCIe 接口,每引腳的數據速率將達到或超過 32 Gb/s。英特爾已確認,首批 EMIB-T 封裝將達到目前約 0.25 皮焦耳/比特的能效,同時提供更高的互連密度。
該公司計劃將凸塊間距減小到目前 45 微米的標準以下。從 2026 年開始,英特爾打算生產尺寸為 120 x 120 毫米的基于 EMIB 的封裝,大約是單個光罩尺寸的八倍。這些大型基板可以集成多達 12 個高帶寬內存堆棧以及多個計算芯片,所有這些都通過 20 多個 EMIB 橋連接。
展望未來,英特爾預計到 2028 年將封裝尺寸推至 120 x 180 毫米。這樣的設計可以容納超過 24 個內存堆棧、8 個計算芯片以及 38 個或更多 EMIB 橋。這些發(fā)展與臺積電為其 CoWoS 技術宣布的類似計劃非常相似。
除了EMIB-T之外,英特爾還展示了一種重新設計的散熱器,可將熱界面材料中的空隙減少約25%,以及一種新的熱壓粘合工藝,可最大限度地減少大型封裝基板的翹曲。