游戲玩家都非常注重內(nèi)存性能提升帶來的內(nèi)存游戲體驗(yàn)升級(jí)，但是選高在面對(duì)琳瑯滿目的產(chǎn)品時(shí)，我們還是頻率避免不了會(huì)有這樣的困惑，內(nèi)存是還低應(yīng)該優(yōu)先選擇高頻率的呢，還是延遲應(yīng)該選擇低延遲的呢？

內(nèi)存頻率通常以MHz為單位（如DDR4-3200或DDR5-6000），代表了內(nèi)存模塊每秒鐘能夠完成的內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸周期數(shù)。這個(gè)數(shù)值直接影響內(nèi)存的選高帶寬——即單位時(shí)間內(nèi)能夠傳輸?shù)臄?shù)據(jù)總量。

以DDR4-3200內(nèi)存為例，頻率其實(shí)際工作頻率為1600MHz，還低但由于DDR（Double Data Rate）技術(shù)可以在時(shí)鐘信號(hào)的延遲上升沿和下降沿都傳輸數(shù)據(jù)，因此有效頻率翻倍為3200MHz。內(nèi)存

更高的選高頻率意味著更大的理論帶寬，內(nèi)存的頻率讀寫速度就越快，就像更寬的還低高速公路能夠容納更多的車流一樣?，F(xiàn)代DDR5內(nèi)存已經(jīng)將頻率推向了前所未有的延遲高度，主流產(chǎn)品普遍達(dá)到5600-6400MHz，高端型號(hào)甚至突破8000MHz大關(guān)。

與頻率同樣重要的是內(nèi)存時(shí)序，它決定了內(nèi)存訪問的響應(yīng)速度。時(shí)序通常以四個(gè)數(shù)字表示（如CL16-18-18-38），分別為CL、tRCD、tRP、tRAS，具體的含義不用記住，只要知道內(nèi)存的時(shí)序越低，意味著內(nèi)存的響應(yīng)速度越快即可。

可能你會(huì)說，高頻率和低延遲我都要！但是頻率和延遲往往是一對(duì)“冤家”，內(nèi)存的頻率提高了，延遲就會(huì)增加，最明顯的就是DDR4內(nèi)存頻率一般在3000左右，延遲只有16，而DDR5內(nèi)存雖然頻率提升至6000，但是延遲就增加到了32。雖然也有少數(shù)產(chǎn)品滿足了高頻率和低延遲的優(yōu)勢，但是價(jià)格就超出不少玩家的預(yù)算了。

對(duì)于預(yù)算有限的游戲玩家來說，應(yīng)該如何選擇呢？答案是分兩種情況。

如果游戲的圖形不是很華麗，但是有復(fù)雜的物理和邏輯計(jì)算，那就對(duì)內(nèi)存延遲更敏感。比如在《CS2》、《Valorant》等游戲中，更低的延遲可以帶來一定的幀率提升，這對(duì)競技玩家來說可能意味著關(guān)鍵的優(yōu)勢。

如果游戲的畫面更重要，而對(duì)物理碰撞等要求不高，那就可以優(yōu)先選擇高頻內(nèi)存。不過有一種特殊情況，那就是使用核顯平臺(tái)，內(nèi)存性能直接影響圖形處理能力，此時(shí)內(nèi)存的頻率提升帶來的升級(jí)幅度要遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于時(shí)序的降低，這是因?yàn)榧娠@卡需要頻繁訪問內(nèi)存中的紋理和幀緩沖數(shù)據(jù)，更高的內(nèi)存帶寬直接轉(zhuǎn)化為圖形處理能力的提升。

所以結(jié)論也就很簡單，核顯平臺(tái)直接選高頻內(nèi)存，獨(dú)顯平臺(tái)玩注重游戲畫面和大場景的3A大作同樣選高頻內(nèi)存，而注重復(fù)雜物理計(jì)算和重視競技表現(xiàn)的玩家可以優(yōu)先選擇低延遲內(nèi)存。

對(duì)于預(yù)算充足的玩家來說，可以花錢買高頻率和低延遲的高定位產(chǎn)品。