為了推動(dòng)AI等創(chuàng)新應(yīng)用落地，英特應(yīng)用使其惠及更廣大的爾推用戶，需要指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的進(jìn)技算力。為此，術(shù)創(chuàng)半導(dǎo)體行業(yè)正在不斷拓展芯片制造的新規(guī)需求邊界，探索提高性能、模更滿足降低功耗的封裝創(chuàng)新路徑。

　　在這樣的英特應(yīng)用背景下，傳統(tǒng)上僅用于散熱和保護(hù)設(shè)備的爾推封裝技術(shù)正在從幕后走向臺(tái)前，成為行業(yè)熱門趨勢(shì)。進(jìn)技與傳統(tǒng)的術(shù)創(chuàng)封裝技術(shù)不同，先進(jìn)封裝技術(shù)可以在單個(gè)設(shè)備內(nèi)集成不同廠商、新規(guī)需求不同制程、模更滿足不同大小、封裝不同功能的英特應(yīng)用芯片，從而為打造功能更強(qiáng)大、能效比更高的系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC），帶來(lái)了全新的可能性。

　　英特爾一直致力于將處理器、加速器和存儲(chǔ)器等各種各樣的芯片堆疊起來(lái)，組合到更大規(guī)模的封裝中，幫助客戶讓產(chǎn)品性能“更上一層樓”。在2025 IEEE電子器件技術(shù)大會(huì)（ECTC）上，英特爾分享了其封裝技術(shù)的最新進(jìn)展，這一大會(huì)由IEEE（電氣電子工程師學(xué)會(huì)）電子封裝協(xié)會(huì)主辦，聚焦于封裝、器件和微電子系統(tǒng)的科研、技術(shù)與教育，是封裝領(lǐng)域的國(guó)際頂會(huì)。

　　具體而言，英特爾在封裝領(lǐng)域的三大關(guān)鍵技術(shù)路徑包括：提高封裝的良率，確保供電穩(wěn)定可靠，以及通過(guò)有效的熱管理技術(shù)實(shí)現(xiàn)散熱。

　　EMIB-T：穩(wěn)定供電

　　英特爾的EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）技術(shù)已經(jīng)投入生產(chǎn)，突破了光罩尺寸的限制，實(shí)現(xiàn)了多芯片之間的高速互聯(lián)。此外，通過(guò)硅通孔（TSV）技術(shù)，EMIB-T 優(yōu)化了供電效率，并為集成高速HBM4，以及基于UCIe標(biāo)準(zhǔn)的芯粒提供了簡(jiǎn)便的解決方案。

　　熱壓鍵合：提高良率

　　隨著封裝尺寸越來(lái)越大，集成多芯片的復(fù)雜程度也在同步提升。英特爾計(jì)劃通過(guò)探索高精度、大光罩熱壓鍵合（TCB）的先進(jìn)工藝來(lái)提高良率和可靠性。

　　分解式散熱器：高效散熱

　　隨著封裝變得越來(lái)越復(fù)雜，尺寸也越來(lái)愈大，熱設(shè)計(jì)功耗（TDP）也在不斷增加。為應(yīng)對(duì)散熱層面的挑戰(zhàn)，英特爾正在研發(fā)全新的分解式散熱器技術(shù)，以及新一代熱界面材料。這些創(chuàng)新可以更有效地將熱量從熱源傳遞到散熱器的各個(gè)部分，進(jìn)而提升整體的散熱效率。