6月29日消息，史上全球最大半導(dǎo)體設(shè)備龍頭ASML已著手研發(fā)下一代Hyper NA EUV先進(jìn)光刻機(jī)，最先為未來(lái)十年的發(fā)新芯片產(chǎn)業(yè)做準(zhǔn)備。

Jos Benschop表示，代H單次ASML及獨(dú)家光學(xué)合作伙伴蔡司（Carl Zeiss）正在研究可在單次曝光中印刷出分辨率精細(xì)到5nm的刻機(jī)EUV光刻機(jī)，可滿足2035年之后的曝光制程需求。

據(jù)悉，史上ASML目前出貨的最先最先進(jìn)光刻機(jī)，可達(dá)到單次曝光8nm分辨率。發(fā)新 而之前老舊光刻機(jī)必須多次曝光才能達(dá)到類似分辨率，代H單次不僅效率較低，刻機(jī)而且良率也有限。曝光

Benschop指出，史上ASML正與蔡司進(jìn)行設(shè)計(jì)研究，最先目標(biāo)是發(fā)新實(shí)現(xiàn)數(shù)值孔徑（NA）0.7 或以上，目前尚未設(shè)定具體上市時(shí)間表。

數(shù)值孔徑（NA）是衡量光學(xué)系統(tǒng)收集與聚焦光線能力的關(guān)鍵指標(biāo)，也是決定電路圖樣能否精細(xì)投影到晶圓上的關(guān)鍵因素。 當(dāng)NA越大、光波長(zhǎng)越短，印刷分辨率就越高。

目前標(biāo)準(zhǔn)EUV光刻機(jī)的NA為0.33，最新一代High NA EUV則提升至0.55。 當(dāng)下，ASML正朝向NA 0.7或超高NA（Hyper NA）邁進(jìn)。